Debido a la rareza de la moissanita natural, la mayor parte del carburo de silicio es sintético.Se utiliza como abrasivo y, más recientemente, como semiconductor y simulante de diamante con calidad de gema.El proceso de fabricación más sencillo consiste en combinar arena de sílice y carbono en un horno de resistencia eléctrica de grafito Acheson a alta temperatura, entre 1.600 °C (2.910 °F) y 2.500 °C (4.530 °F).Las partículas finas de SiO2 en material vegetal (por ejemplo, cáscaras de arroz) se pueden convertir en SiC calentando el exceso de carbono del material orgánico.El humo de sílice, que es un subproducto de la producción de silicio metálico y aleaciones de ferrosilicio, también se puede convertir en SiC calentándolo con grafito a 1500 °C (2730 °F).
F12-F1200, P12-P2500
0-1 mm, 1-3 mm, 6/10, 10/18, malla 200, malla 325
Se pueden suministrar otras especificaciones especiales bajo pedido.
Arena | Sic | FC | Fe2O3 |
F12-F90 | ≥98,50 | <0,20 | ≤0,60 |
F100-F150 | ≥98.00 | <0,30 | ≤0,80 |
F180-F220 | ≥97.00 | <0,30 | ≤1,20 |
F230-F400 | ≥96.00 | <0,40 | ≤1,20 |
F500-F800 | ≥95.00 | <0,40 | ≤1,20 |
F1000-F1200 | ≥93.00 | <0,50 | ≤1,20 |
P12-P90 | ≥98,50 | <0,20 | ≤0,60 |
P100-P150 | ≥98.00 | <0,30 | ≤0,80 |
P180-P220 | ≥97.00 | <0,30 | ≤1,20 |
P230-P500 | ≥96.00 | <0,40 | ≤1,20 |
P600-P1500 | ≥95.00 | <0,40 | ≤1,20 |
P2000-P2500 | ≥93.00 | <0,50 | ≤1,20 |
Sémola | Densidad a Granel (g/cm3) | Alta densidad (g/cm3) | Sémola | Densidad a Granel (g/cm3) | Alta densidad (g/cm3) |
F16 ~ F24 | 1,42~1,50 | ≥1,50 | F100 | 1,36~1,45 | ≥1,45 |
F30 ~ F40 | 1,42~1,50 | ≥1,50 | F120 | 1,34~1,43 | ≥1,43 |
F46 ~ F54 | 1,43~1,51 | ≥1,51 | F150 | 1,32~1,41 | ≥1,41 |
F60 ~ F70 | 1,40~1,48 | ≥1,48 | F180 | 1,31~1,40 | ≥1,40 |
F80 | 1,38~1,46 | ≥1,46 | F220 | 1,31~1,40 | ≥1,40 |
F90 | 1,38~1,45 | ≥1,45 |
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